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Issue
Ann. Phys. Fr.
Volume 22, Number C1, février-avril 1997
Page(s) C1-225 - C1-226
DOI https://doi.org/10.1051/anphys/1997043
Published online 15 February 1997
Ann. Phys. Fr., Vol. 22, N°C1, février-avril 1997, pp. C1-225–C1-226
DOI: 10.1051/anphys/1997043

Simulation thermique de la fusion et de la recristallisation par lasers à excimères du silicium amorphe pour les applications transistors en couches minces

S. de Unamuno and E. Fogarassy

Laboratoire PHASE-CNRS, BP. 20, 67037 Strasbourg cedex, France



© EDP Sciences 1997
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