Sur les niveaux profonds introduits dans la bande interdite du silicium par irradiation avec des électrons de 300 keV^*

Laboratoire d’Électronique Fondamentale de la Faculté des Sciences d’Orsay (Professeur P. Grivet) Bâtiment 220, Faculté des Sciences — 91 - Orsay, France

Résumé

Nous avons étudié l'influence des niveaux profonds introduits dans la bande interdite du Silicium par irradiation avec des électrons de basse énergie, sur deux propriétés électriques de ce matériau, la conductivité et la durée de vie des porteurs en excès.

Nous avons irradié des échantillons massifs et des couches épitaxiales.

On montre que les électrons de basse énergie introduisent dans la demi-bande supérieure, à côté du niveau bien connu du centre A en E_c — 0,17 eV, un niveau accepteur en E_c — 0,13 eV ; sa présence n'a pu être mise en évidence que dans les matériaux contenant peu d'oxygène. Dans la demi-bande inférieure un centre donneur très profond est introduit avec une concentration proportionnelle au dopage.

Abstract

The subject of our study has been the effects of introducing deep levels into the forbidden band of silicon, by irradiation with low energy electrons, on two electrical properties of this material: the conductivity and the lifetime of the excess carriers. We irradiated ordinary samples and epitaxial films.

Low energy electrons are shown to introduce into the upper halfband, besides the familiar level of centre A at E_c — 0,17 eV. an acceptor level at E_c.—0.13 eV ; its presence could only be demonstrated in materials poor in oxygen. In the lower halfband a very deep donor centre is introduced, in a concentration proportional to the doping.