Simulation thermique de la fusion et de la recristallisation par lasers à excimères du silicium amorphe pour les applications transistors en couches mincesS. de Unamuno and E. FogarassyAnn. Phys. Fr., 22 (1997) C1-225-C1-226DOI: https://doi.org/10.1051/anphys/1997043
