Solubilité du carbone et relaxation des contraintes dans des films de Si1-x-y GexCy préparés par implantation ionique et recristallisation par laser à excimères
Ann. Phys. Fr., 22 (1997) C1-227-C1-228
Published online: 15 February 1997
DOI: 10.1051/anphys/1997044