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Ann. Phys.
Volume 13, Number 9, 1964
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| Page(s) | 685 - 696 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/anphys/196413090685 | |
| Published online | 26 April 2017 | |
Ann. Phys., Vol. 13, N°9 (1964), pp. 685–696
Comportement des transistors en haute fréquence
Recherche de schémas équivalents simples comportant des paramètres indépendants de la fréquence dans le but de calculer des amplificateurs de tension à large bande
Laboratoire d’Électronique appliquée de la Faculté des Sciences de Bordeaux 351, Cours de la Libération, Talence (Gironde), France.
Cet article ne possède pas de résumé.
© Masson et Cie, Paris, 1964
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