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Ann. Phys.
Volume 3, 1978
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Page(s) | 339 - 344 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/anphys/197803030339 | |
Published online | 26 April 2017 |
Memory light valve : smectic-A liquid crystal associated to a photoconductor
Valve optique à mémoire : un cristal liquide de type smectique A associé à un photoconducteur
Laboratoires d’Électronique et de Physique appliquée, 3, Avenue Descartes, B. P. 15 — F 94450 Limeil-Brévannes, France.
The memory light valve described consists of an amorphous selenium photoconductor and a planar oriented smectic-A liquid crystal sandwiched between two transparent electrodes. The operation of the device is governed by a novel photo-electro-optic effect. Namely the role of the photoconductor is not only to transfer the voltage to the liquid crystal (few µs) but also to store it for a sufficient time so as to generate the defects in the smectic-A (typically 10 ms).
The performances of the light valve are the following:
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sensitivity: 28 ± 7 µJ/cm2,
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writing speed: 27 ± 9 kbit/s,
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resolution: 21 ± 4 µm.
The thickness of the liquid crystal in the test cell was 12 µm. The measurements were carried out with 125 V applied to the cell that was maintained at a temperature 0.5° C below the smectic-nematic phase transition temperature.
Résumé
On décrit une nouvelle valve optique à mémoire consistant en l’association d’une couche photoconductrice de sélénium amorphe et d’un cristal liquide de type smectique A. Son fonctionnement est basé sur un effet photo- électro-optique original : le photoconducteur ne sert pas uniquement au transfert des charges sur le cristal liquide (temps de transfert = quelques µs), mais également à un stockage de ces charges pendant un temps suffisamment long (~ 10 ms) pour créer des défauts diffusant dans le smectique A.
Les caractéristiques du dispositif sont les suivantes
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sensibilité d’écriture : 28 ± 7 µJ/cm2,
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vitesse d’inscription : 27 ± 9 kbit/s,
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résolution : 21 ± 4 µm.
L’épaisseur du cristal liquide était de 12 µm. Les mesures ont été effectuées avec une tension appliquée sur la cellule de 125 V. La température de la cellule était maintenue à 0,5° C au-dessous de la température de transition smectique-nématique.
© Masson et Cie, Paris, 1978